Intel aprovechó el Simposio VLSI 2026 para presentar una importante actualización sobre el avance de sus tecnologías de fabricación y su estrategia de innovación a largo plazo. Durante el evento, la compañía confirmó que Intel 18A-P, la primera evolución de rendimiento dentro de la familia Intel 18A, ya entró oficialmente en producción de riesgo, cumpliendo así el cronograma previamente compartido con clientes y socios de la industria.
El anuncio representa uno de los movimientos más importantes de Intel dentro de su plan para recuperar liderazgo en procesos de fabricación avanzados y fortalecer la propuesta de Intel Foundry frente a la creciente competencia global en el mercado de semiconductores.
“Las actualizaciones y presentaciones en el VLSI son una señal para los clientes y socios de Intel Foundry de que estamos totalmente comprometidos con la innovación en procesos de vanguardia a largo plazo”, afirmó Naga Chandrasekaran. El ejecutivo señaló además que, aunque todavía queda trabajo por delante, la compañía continúa avanzando de forma sólida en su estrategia de fabricación.
Intel 18A-P: más rendimiento y menor consumo energético
Durante las sesiones técnicas del VLSI, los ingenieros de Intel detallaron varias de las mejoras que incorpora Intel 18A-P frente al nodo Intel 18A original.
Según la compañía, el nuevo proceso entrega:
- Hasta un 9% más de rendimiento a igual consumo energético.
- Una reducción de hasta 18% en consumo energético manteniendo el mismo rendimiento.
- Mejoras térmicas de entre 20% y 40%.
- Optimización de la resistencia de las vías internas del chip entre 10% y 30%.
- Nuevas opciones de transistores de alto rendimiento y bajo consumo.
- Compatibilidad total con las reglas de diseño de Intel 18A.
Uno de los anuncios más importantes fue la introducción de “Power Boost”, una nueva opción de transistor de doble contacto y baja resistencia que permite mejorar la frecuencia y el rendimiento sin aumentar significativamente la capacitancia.
Intel también destacó avances en ingeniería de tensión para transistores PMOS, permitiendo que la corriente se desplace de forma más eficiente dentro del chip y mejorando así el comportamiento general del proceso.
Otro punto relevante es que Intel 18A-P mantiene compatibilidad total con el ecosistema de diseño de Intel 18A, lo que facilitará a los clientes reutilizar propiedad intelectual y flujos de trabajo existentes sin necesidad de rediseñar completamente sus proyectos.
GAA y BSPD: las tecnologías que impulsarán la próxima generación
Intel aprovechó además el evento para profundizar en dos de las tecnologías más importantes de su futuro roadmap:
- Gate-All-Around (GAA)
- Backside Power Delivery (BSPD)
Estas tecnologías fueron introducidas inicialmente con Intel 18A y son consideradas claves para mejorar el rendimiento, reducir el consumo energético y permitir el escalado de futuros chips avanzados.
Durante una charla invitada en el VLSI, Eric Karl explicó cómo el suministro de energía por la cara posterior del chip permite reducir significativamente la caída de voltaje y optimizar el área utilizada para el enrutamiento interno.
Según Intel, esta arquitectura puede:
- Reducir el área de enrutamiento en un 11%.
- Disminuir hasta 10 veces la caída dinámica de voltaje.
- Mejorar frecuencias hasta en un 6%.
- Reducir el consumo dinámico en más de un 15%.
Por su parte, Manju Shamanna presentó resultados obtenidos en núcleos de CPU fabricados bajo esta nueva arquitectura, mostrando mejoras de frecuencia cercanas al 30% en escenarios de bajo voltaje.
Intel también mira más allá del silicio tradicional
Más allá de Intel 18A-P, la compañía mostró avances en varias áreas de investigación que apuntan al futuro de la industria de semiconductores.
CFET: la siguiente evolución de los transistores
Intel demostró inversores CFET monolíticos, una arquitectura donde transistores NMOS y PMOS se apilan verticalmente para continuar el escalado lógico más allá de los diseños gate-all-around actuales.
La compañía logró implementar esta tecnología utilizando un gate pitch de 45 nm, abriendo la puerta a futuras generaciones de chips más densos y eficientes.
Integración de GaN y silicio
Intel también mostró avances en integración monolítica de dispositivos de nitruro de galio (GaN) junto con lógica de silicio en obleas de 300 mm.
Esta combinación permitiría crear sistemas de gestión energética mucho más eficientes integrando control digital y potencia en un único proceso de fabricación.
Interconexión con rutenio
Otro de los proyectos destacados fue el desarrollo de interconexiones de rutenio sustractivo con integración airgap, una tecnología que podría reemplazar progresivamente al cobre en futuras generaciones de chips.
Intel asegura que esta técnica puede reducir la capacitancia hasta en un 35% y mejorar frecuencias de funcionamiento gracias a una mejor gestión eléctrica interna.
Intel busca recuperar terreno en la carrera de los semiconductores
Los anuncios realizados durante el VLSI 2026 reflejan el esfuerzo de Intel por acelerar nuevamente su competitividad frente a fabricantes como TSMC y Samsung Electronics, especialmente en el segmento de nodos avanzados para inteligencia artificial, centros de datos y computación de alto rendimiento.
Con Intel 18A-P entrando en producción de riesgo y nuevas tecnologías en desarrollo, la compañía busca consolidar su estrategia de largo plazo para Intel Foundry y posicionarse nuevamente como uno de los actores más relevantes de la industria global de semiconductores.
